SIR812DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR812DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00145 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR812DP datasheet

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SIR812DP

New Product SiR812DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.00145 at VGS = 10 V 60 30 109 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.00165 at VGS = 4.5 V 60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power

 9.1. Size:479K  vishay
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SIR812DP

New Product SiR818DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.0028 at VGS = 10 V 50g 30 30.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0033 at VGS = 4.5 V 50g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

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