SIR812DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR812DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00145 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR812DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR812DP даташит

 ..1. Size:476K  vishay
 sir812dp.pdf pdf_icon

SIR812DP

New Product SiR812DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.00145 at VGS = 10 V 60 30 109 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.00165 at VGS = 4.5 V 60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power

 9.1. Size:479K  vishay
 sir818dp.pdf pdf_icon

SIR812DP

New Product SiR818DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.0028 at VGS = 10 V 50g 30 30.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0033 at VGS = 4.5 V 50g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

Другие IGBT... SIR770DP, SIR774DP, SIR788DP, SIR798DP, SIR800DP, SIR802DP, SIR804DP, SIR808DP, BS170, SIR818DP, SIR820DP, SIR826ADP, SIR826DP, SIR836DP, SIR838DP, SIR844DP, SIR846ADP