Справочник MOSFET. SIR812DP

 

SIR812DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR812DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00145 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR812DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR812DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  vishay
 sir812dp.pdf pdf_icon

SIR812DP

New ProductSiR812DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.00145 at VGS = 10 V 6030 109 nC 100 % Rg and UIS Tested0.00165 at VGS = 4.5 V 60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPower

 9.1. Size:479K  vishay
 sir818dp.pdf pdf_icon

SIR812DP

New ProductSiR818DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0028 at VGS = 10 V 50g30 30.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0033 at VGS = 4.5 V 50g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Другие MOSFET... SIR770DP , SIR774DP , SIR788DP , SIR798DP , SIR800DP , SIR802DP , SIR804DP , SIR808DP , 18N50 , SIR818DP , SIR820DP , SIR826ADP , SIR826DP , SIR836DP , SIR838DP , SIR844DP , SIR846ADP .

History: 2SK636 | NCEP60T12AK | SCT2280KE

 

 
Back to Top

 


 
.