SIR836DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR836DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR836DP datasheet

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SIR836DP

New Product SiR836DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.019 at VGS = 10 V 21 TrenchFET Power MOSFET 40 5.8 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0225 at VGS = 4.5 V 19.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICA

 9.1. Size:123K  vishay
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SIR836DP

New Product SiR838DP Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.033 at VGS = 10 V 150 35 33 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch S 6.15

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