Справочник MOSFET. SIR836DP

 

SIR836DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR836DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR836DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR836DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  vishay
 sir836dp.pdf pdf_icon

SIR836DP

New ProductSiR836DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.019 at VGS = 10 V 21 TrenchFET Power MOSFET 40 5.8 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0225 at VGS = 4.5 V 19.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 APPLICA

 9.1. Size:123K  vishay
 sir838dp.pdf pdf_icon

SIR836DP

New ProductSiR838DPVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.033 at VGS = 10 V 150 35 33 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS Primary Side SwitchS 6.15

Другие MOSFET... SIR802DP , SIR804DP , SIR808DP , SIR812DP , SIR818DP , SIR820DP , SIR826ADP , SIR826DP , STP80NF70 , SIR838DP , SIR844DP , SIR846ADP , SIR846DP , SIR850DP , SIR862DP , SIR864DP , SIR866DP .

History: SQM85N03-06P | CS2837AND | AMD530C | IPD122N10N3 | SQM110N10-09 | IPD25CN10N

 

 
Back to Top

 


 
.