SIR836DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR836DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR836DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR836DP даташит

 ..1. Size:325K  vishay
 sir836dp.pdf pdf_icon

SIR836DP

New Product SiR836DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.019 at VGS = 10 V 21 TrenchFET Power MOSFET 40 5.8 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0225 at VGS = 4.5 V 19.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICA

 9.1. Size:123K  vishay
 sir838dp.pdf pdf_icon

SIR836DP

New Product SiR838DP Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.033 at VGS = 10 V 150 35 33 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch S 6.15

Другие IGBT... SIR802DP, SIR804DP, SIR808DP, SIR812DP, SIR818DP, SIR820DP, SIR826ADP, SIR826DP, 10N65, SIR838DP, SIR844DP, SIR846ADP, SIR846DP, SIR850DP, SIR862DP, SIR864DP, SIR866DP