SIR838DP Todos los transistores

 

SIR838DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR838DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR838DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  vishay
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SIR838DP

New ProductSiR838DPVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.033 at VGS = 10 V 150 35 33 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS Primary Side SwitchS 6.15

 9.1. Size:325K  vishay
 sir836dp.pdf pdf_icon

SIR838DP

New ProductSiR836DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.019 at VGS = 10 V 21 TrenchFET Power MOSFET 40 5.8 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0225 at VGS = 4.5 V 19.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 APPLICA

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History: SI4410DY | IXFA5N100P | STP24N60M2 | SML20B67F | FJN598J | SVF4N65T | TK6P60W

 

 
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