Справочник MOSFET. SIR838DP

 

SIR838DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR838DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR838DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR838DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  vishay
 sir838dp.pdf pdf_icon

SIR838DP

New ProductSiR838DPVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.033 at VGS = 10 V 150 35 33 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS Primary Side SwitchS 6.15

 9.1. Size:325K  vishay
 sir836dp.pdf pdf_icon

SIR838DP

New ProductSiR836DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.019 at VGS = 10 V 21 TrenchFET Power MOSFET 40 5.8 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0225 at VGS = 4.5 V 19.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 APPLICA

Другие MOSFET... SIR804DP , SIR808DP , SIR812DP , SIR818DP , SIR820DP , SIR826ADP , SIR826DP , SIR836DP , 13N50 , SIR844DP , SIR846ADP , SIR846DP , SIR850DP , SIR862DP , SIR864DP , SIR866DP , SIR870ADP .

History: STM8500A | MS9N20E | BUK453-100B | NTD4979N | LNE06R110 | NTMFS5H630NL | NCE65N680F

 

 
Back to Top

 


 
.