SIR850DP Todos los transistores

 

SIR850DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR850DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SIR850DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIR850DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  vishay
 sir850dp.pdf pdf_icon

SIR850DP

SiR850DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.007 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested30a COMPLIANT 25 8.4 nC 100 % UIS Tested0.009 at VGS = 4.5 V 30aAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Synchronous Buck- High-SideS6.15 mm 5.15 mm1 DS

Otros transistores... SIR820DP , SIR826ADP , SIR826DP , SIR836DP , SIR838DP , SIR844DP , SIR846ADP , SIR846DP , RU6888R , SIR862DP , SIR864DP , SIR866DP , SIR870ADP , SIR870DP , SIR872ADP , SIR872DP , SIR874DP .

History: SIZ320DT | MMN60NF06 | STS2305 | MMN4430 | TSM60N06CP | OSG60R092HF | HMS8N50I

 

 
Back to Top

 


 
.