SIR850DP Todos los transistores

 

SIR850DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR850DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIR850DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  vishay
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SIR850DP

SiR850DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.007 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested30a COMPLIANT 25 8.4 nC 100 % UIS Tested0.009 at VGS = 4.5 V 30aAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Synchronous Buck- High-SideS6.15 mm 5.15 mm1 DS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: GSM7002K | DMC2041UFDB | SFB068N150C3 | IRF624A | IRF220 | SMP40N10 | IXFT14N80P

 

 
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