Справочник MOSFET. SIR850DP

 

SIR850DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR850DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR850DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR850DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  vishay
 sir850dp.pdf pdf_icon

SIR850DP

SiR850DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.007 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested30a COMPLIANT 25 8.4 nC 100 % UIS Tested0.009 at VGS = 4.5 V 30aAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Synchronous Buck- High-SideS6.15 mm 5.15 mm1 DS

Другие MOSFET... SIR820DP , SIR826ADP , SIR826DP , SIR836DP , SIR838DP , SIR844DP , SIR846ADP , SIR846DP , 75N75 , SIR862DP , SIR864DP , SIR866DP , SIR870ADP , SIR870DP , SIR872ADP , SIR872DP , SIR874DP .

History: SFD025N30C2 | STP18N60DM2 | VBZMB20N65 | PTP4N65 | SI2301DS-T1-GE3 | KHB8D8N25F

 

 
Back to Top

 


 
.