SIR850DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR850DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR850DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR850DP даташит

 ..1. Size:474K  vishay
 sir850dp.pdf pdf_icon

SIR850DP

SiR850DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.007 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested 30a COMPLIANT 25 8.4 nC 100 % UIS Tested 0.009 at VGS = 4.5 V 30a APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Buck - High-Side S 6.15 mm 5.15 mm 1 D S

Другие IGBT... SIR820DP, SIR826ADP, SIR826DP, SIR836DP, SIR838DP, SIR844DP, SIR846ADP, SIR846DP, 18N50, SIR862DP, SIR864DP, SIR866DP, SIR870ADP, SIR870DP, SIR872ADP, SIR872DP, SIR874DP