Справочник MOSFET. SIR850DP

 

SIR850DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR850DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR850DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  vishay
 sir850dp.pdf pdf_icon

SIR850DP

SiR850DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.007 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested30a COMPLIANT 25 8.4 nC 100 % UIS Tested0.009 at VGS = 4.5 V 30aAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Synchronous Buck- High-SideS6.15 mm 5.15 mm1 DS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BSB015N04NX3G | AUIRFZ48Z | SMK1430DI | SFS15R065KNF | IRF3707SPBF | SSG4470STM | SI2323

 

 
Back to Top

 


 
.