SIR892DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR892DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR892DP datasheet

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SIR892DP

New Product SiR892DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0032 at VGS = 10 V 50a, g 100 % Rg Tested 25 20 nC 0.0042 at VGS = 4.5 V 50a, g 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous

 9.1. Size:508K  vishay
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SIR892DP

New Product SiR890DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0029 at VGS = 10 V 50g 100 % Rg Tested 20 20 nC 0.0040 at VGS = 4.5 V 50g 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck

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