SIR892DP Todos los transistores

 

SIR892DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR892DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR892DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  vishay
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SIR892DP

New ProductSiR892DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0032 at VGS = 10 V 50a, g 100 % Rg Tested25 20 nC0.0042 at VGS = 4.5 V 50a, g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous

 9.1. Size:508K  vishay
 sir890dp.pdf pdf_icon

SIR892DP

New ProductSiR890DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0029 at VGS = 10 V 50g 100 % Rg Tested20 20 nC0.0040 at VGS = 4.5 V 50g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck

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History: FDR836P | SI5435BDC | FDMC3020DC | PNM523T201E0 | GP1M016A060XX

 

 
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