Справочник MOSFET. SIR892DP

 

SIR892DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR892DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR892DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  vishay
 sir892dp.pdf pdf_icon

SIR892DP

New ProductSiR892DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0032 at VGS = 10 V 50a, g 100 % Rg Tested25 20 nC0.0042 at VGS = 4.5 V 50a, g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous

 9.1. Size:508K  vishay
 sir890dp.pdf pdf_icon

SIR892DP

New ProductSiR890DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0029 at VGS = 10 V 50g 100 % Rg Tested20 20 nC0.0040 at VGS = 4.5 V 50g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AMD531C | AFP2913W | NDT6N70 | EMF02P02H | S10H06RP | IPD50R280CE | WMK053NV8HGS

 

 
Back to Top

 


 
.