Справочник MOSFET. SIR892DP

 

SIR892DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR892DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR892DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR892DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  vishay
 sir892dp.pdf pdf_icon

SIR892DP

New ProductSiR892DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0032 at VGS = 10 V 50a, g 100 % Rg Tested25 20 nC0.0042 at VGS = 4.5 V 50a, g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous

 9.1. Size:508K  vishay
 sir890dp.pdf pdf_icon

SIR892DP

New ProductSiR890DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0029 at VGS = 10 V 50g 100 % Rg Tested20 20 nC0.0040 at VGS = 4.5 V 50g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck

Другие MOSFET... SIR878ADP , SIR878DP , SIR880ADP , SIR880DP , SIR882ADP , SIR882DP , SIR888DP , SIR890DP , AON7403 , SIRA00DP , SIRA02DP , SIRA04DP , SIRA06DP , SIRA10DP , SIRA12DP , SIRA14DP , SIRA18DP .

History: KD3422A | ST25N10

 

 
Back to Top

 


 
.