2SK1221 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1221
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
- Selección de transistores por parámetros
2SK1221 Datasheet (PDF)
2sk1221.pdf

FUJI POWER MOSFET2SK1221N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220ABLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS=30V GuaranteeApplications Switching regulatorsUPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDEC TO-220ABEIAJ SC-46Equivalent circuit schematicMaximum ra
2sk1228.pdf

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK12282SK1228Silicon N-Channel MOSUnit : mmFor switching+0.22.8 0.3+0.250.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features High-speed switching1 Wide frequency band Gate-protection diode built-in3 2.5V drive possible2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rating Unit0.1 to 0.3Drain-Source voltage VDS 50 V0.4
2sk1222.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1222 DESCRIPTION Drain Current ID=15A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 450 V VGS Gate-Source Voltag
Otros transistores... 2SK1186 , 2SK1187 , 2SK1188 , 2SK1189 , 2SK1190 , 2SK1191 , 2SK1192 , 2SK1198 , TK10A60D , 2SK1271 , 2SK1272 , 2SK1273 , 2SK1274 , 2SK1282 , 2SK1283 , 2SK1284 , 2SK1285 .
History: BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L | STP55N06L | AUIRF2804
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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