2SK1221 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK1221
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для 2SK1221
2SK1221 Datasheet (PDF)
2sk1221.pdf

FUJI POWER MOSFET2SK1221N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220ABLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS=30V GuaranteeApplications Switching regulatorsUPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDEC TO-220ABEIAJ SC-46Equivalent circuit schematicMaximum ra
2sk1228.pdf

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK12282SK1228Silicon N-Channel MOSUnit : mmFor switching+0.22.8 0.3+0.250.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features High-speed switching1 Wide frequency band Gate-protection diode built-in3 2.5V drive possible2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rating Unit0.1 to 0.3Drain-Source voltage VDS 50 V0.4
2sk1222.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1222 DESCRIPTION Drain Current ID=15A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 450 V VGS Gate-Source Voltag
Другие MOSFET... 2SK1186 , 2SK1187 , 2SK1188 , 2SK1189 , 2SK1190 , 2SK1191 , 2SK1192 , 2SK1198 , AO3400 , 2SK1271 , 2SK1272 , 2SK1273 , 2SK1274 , 2SK1282 , 2SK1283 , 2SK1284 , 2SK1285 .
History: IXTH88N15 | SSM3K315T | BSF077N06NT3G | SM3307PSQG | IPD60R280PFD7S | TJ8S06M3L | BL7N65B-A
History: IXTH88N15 | SSM3K315T | BSF077N06NT3G | SM3307PSQG | IPD60R280PFD7S | TJ8S06M3L | BL7N65B-A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897