APT19F100J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APT19F100J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 260 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 715 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT19F100J

APT19F100J Datasheet (PDF)

..1. Size:213K microsemi
apt19f100j.pdf

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9.1. Size:122K microsemi
apt19m120j.pdf

APT19M120J 1200V, 19A, 0.53 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon

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History: SQR40N10-25 | NP80N055KLE | SQV90N06-05 | BUK7E8R3-40E

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: