APT19F100J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT19F100J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: SOT-227

Аналог (замена) для APT19F100J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT19F100J даташит

 ..1. Size:213K  microsemi
 apt19f100j.pdf pdf_icon

APT19F100J

APT19F100J 1000V, 20A, 0.44 Max, trr 290ns N-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, hi

 9.1. Size:122K  microsemi
 apt19m120j.pdf pdf_icon

APT19F100J

APT19M120J 1200V, 19A, 0.53 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon

Другие IGBT... APT17N80BC3G, APT17N80SC3G, APT18F60B, APT18F60S, APT18M100B, APT18M100S, APT18M80B, APT18M80S, 50N06, APT19M120J, APT20F50B, APT20F50S, APT20M11JFLL, APT20M11JLL, APT20M120JCU2, APT20M120JCU3, APT20M16B2FLLG