Справочник MOSFET. APT19F100J

 

APT19F100J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT19F100J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для APT19F100J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT19F100J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  microsemi
 apt19f100j.pdf pdf_icon

APT19F100J

APT19F100J 1000V, 20A, 0.44 Max, trr 290nsN-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, hi

 9.1. Size:122K  microsemi
 apt19m120j.pdf pdf_icon

APT19F100J

APT19M120J 1200V, 19A, 0.53 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon

Другие MOSFET... APT17N80BC3G , APT17N80SC3G , APT18F60B , APT18F60S , APT18M100B , APT18M100S , APT18M80B , APT18M80S , 50N06 , APT19M120J , APT20F50B , APT20F50S , APT20M11JFLL , APT20M11JLL , APT20M120JCU2 , APT20M120JCU3 , APT20M16B2FLLG .

History: CJ3139KDW | FDS5170N7 | CEB6060N | IXTQ96N15P

 

 
Back to Top

 


 
.