APT48M80B2 Todos los transistores

 

APT48M80B2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT48M80B2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

 Búsqueda de reemplazo de APT48M80B2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

APT48M80B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  microsemi
 apt48m80b2 apt48m80l.pdf pdf_icon

APT48M80B2

APT48M80B2 APT48M80L 800V, 49A, 0.19 MaxN-Channel MOSFET T-MaxPower MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. TO-264A proprietary planar strip design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacit

Otros transistores... APT4530AN , APT45M100J , APT47F60J , APT47M60J , APT47N60BC3G , APT47N60BCFG , APT47N60SC3G , APT47N65BC3G , IRFP250 , APT48M80L , APT4F120K , APT4F120S , APT4M120K , APT5010B2FLLG , APT5010B2LLG , APT5010LFLLG , APT5010LLLG .

History: 2N3921 | NP22N055HHE | HGB110N10SL | IPA60R250CP | BUK7Y4R4-40E | AP9990GP-HF | 12N80L-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.