APT48M80B2 Todos los transistores

 

APT48M80B2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT48M80B2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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APT48M80B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  microsemi
 apt48m80b2 apt48m80l.pdf pdf_icon

APT48M80B2

APT48M80B2 APT48M80L 800V, 49A, 0.19 MaxN-Channel MOSFET T-MaxPower MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. TO-264A proprietary planar strip design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacit

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History: SSF2314 | SWP078R08ET | HUFA76445P3 | FHD15N10A | QM0004D | BSC007N04LS6 | IRFS510A

 

 
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