Справочник MOSFET. APT48M80B2

 

APT48M80B2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT48M80B2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для APT48M80B2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT48M80B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  microsemi
 apt48m80b2 apt48m80l.pdf pdf_icon

APT48M80B2

APT48M80B2 APT48M80L 800V, 49A, 0.19 MaxN-Channel MOSFET T-MaxPower MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. TO-264A proprietary planar strip design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacit

Другие MOSFET... APT4530AN , APT45M100J , APT47F60J , APT47M60J , APT47N60BC3G , APT47N60BCFG , APT47N60SC3G , APT47N65BC3G , IRFP250 , APT48M80L , APT4F120K , APT4F120S , APT4M120K , APT5010B2FLLG , APT5010B2LLG , APT5010LFLLG , APT5010LLLG .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.