Справочник MOSFET. APT48M80B2

 

APT48M80B2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT48M80B2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1135 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 49 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 305 nC
   Время нарастания (tr): 75 ns
   Выходная емкость (Cd): 930 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для APT48M80B2

 

 

APT48M80B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  microsemi
 apt48m80b2 apt48m80l.pdf

APT48M80B2 APT48M80B2

APT48M80B2 APT48M80L 800V, 49A, 0.19 MaxN-Channel MOSFET T-MaxPower MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. TO-264A proprietary planar strip design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top