APT48M80B2 - описание и поиск аналогов

 

APT48M80B2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT48M80B2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для APT48M80B2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT48M80B2 даташит

 ..1. Size:198K  microsemi
 apt48m80b2 apt48m80l.pdf pdf_icon

APT48M80B2

APT48M80B2 APT48M80L 800V, 49A, 0.19 Max N-Channel MOSFET T-Max Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. TO-264 A proprietary planar strip design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacit

Другие MOSFET... APT4530AN , APT45M100J , APT47F60J , APT47M60J , APT47N60BC3G , APT47N60BCFG , APT47N60SC3G , APT47N65BC3G , AON7506 , APT48M80L , APT4F120K , APT4F120S , APT4M120K , APT5010B2FLLG , APT5010B2LLG , APT5010LFLLG , APT5010LLLG .

History: ME7839S-G | APT10035JFLL | WMR07P03TS | IPD70R600CE | RW1E025RP | AP3C023AMT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.