APT4M120K Todos los transistores

 

APT4M120K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT4M120K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm

Encapsulados: TO-220

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APT4M120K datasheet

 ..1. Size:110K  microsemi
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APT4M120K

APT4M120K 1200V, 5A, 3.80 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. TO-220 A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-si

Otros transistores... APT47N60BC3G , APT47N60BCFG , APT47N60SC3G , APT47N65BC3G , APT48M80B2 , APT48M80L , APT4F120K , APT4F120S , AO4407 , APT5010B2FLLG , APT5010B2LLG , APT5010LFLLG , APT5010LLLG , APT5012JN , APT5014B2VFRG , APT5014B2VRG , APT5014BFLLG .

History: SID40N03 | TK55D10J1 | WMQ50N04T1 | BRD7N65S | SD403CY | DMP4047SK3 | 2SK2503

 

 

 

 

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