APT4M120K Todos los transistores

 

APT4M120K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT4M120K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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APT4M120K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  microsemi
 apt4m120k.pdf pdf_icon

APT4M120K

APT4M120K 1200V, 5A, 3.80 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. TO-220A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-si

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History: CED05N65 | CED16N10 | AOI4286 | GSM6236S | AFN2308 | BUK9E4R4-40B | NP82N055KHE

 

 
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