Справочник MOSFET. APT4M120K

 

APT4M120K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT4M120K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для APT4M120K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT4M120K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  microsemi
 apt4m120k.pdf pdf_icon

APT4M120K

APT4M120K 1200V, 5A, 3.80 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. TO-220A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-si

Другие MOSFET... APT47N60BC3G , APT47N60BCFG , APT47N60SC3G , APT47N65BC3G , APT48M80B2 , APT48M80L , APT4F120K , APT4F120S , P60NF06 , APT5010B2FLLG , APT5010B2LLG , APT5010LFLLG , APT5010LLLG , APT5012JN , APT5014B2VFRG , APT5014B2VRG , APT5014BFLLG .

History: IXFT80N15Q | RJK5032DPH-E0 | IXTH44P15T | FMP20N50E | ME4972-G | HY1803C2 | P4506BD

 

 
Back to Top

 


 
.