APT4M120K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APT4M120K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для APT4M120K
APT4M120K Datasheet (PDF)
apt4m120k.pdf
APT4M120K 1200V, 5A, 3.80 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. TO-220A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-si
Другие MOSFET... APT47N60BC3G , APT47N60BCFG , APT47N60SC3G , APT47N65BC3G , APT48M80B2 , APT48M80L , APT4F120K , APT4F120S , AO4407 , APT5010B2FLLG , APT5010B2LLG , APT5010LFLLG , APT5010LLLG , APT5012JN , APT5014B2VFRG , APT5014B2VRG , APT5014BFLLG .
History: SM8401CSQ | SWB088R08E8T | 2SK2376 | IPA60R120C7 | 2SK1639 | G30N20T
History: SM8401CSQ | SWB088R08E8T | 2SK2376 | IPA60R120C7 | 2SK1639 | G30N20T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238


