RFD10P03L Todos los transistores

 

RFD10P03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFD10P03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251AA
 

 Búsqueda de reemplazo de RFD10P03L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RFD10P03L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:178K  harris semi
 rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf pdf_icon

RFD10P03L

RFD10P03L, RFD10P03LSM,S E M I C O N D U C T O RRFP10P03L10A, 30V, 0.200, Logic LevelP-Channel Power MOSFETMay 1997Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac-tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti-mum utilization of silicon, result

Otros transistores... RF1S640SM , RF1S70N03SM , RF1S70N06SM , RF1S9530SM , RF1S9540SM , RF1S9630SM , RF1S9640SM , RFB18N10CS , MMIS60R580P , RFD10P03LSM , RFD12N06RLE , RFD12N06RLESM , RFD14N05 , RFD14N05L , RFD14N05LSM , RFD14N05SM , RFD14N06L .

History: IRLU8729PBF | WST3032 | SSP7411P | WTC3401 | 2SK1751 | STB5N52K3 | SSD40P04-20D

 

 
Back to Top

 


 
.