Справочник MOSFET. RFD10P03L

 

RFD10P03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFD10P03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFD10P03L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:178K  harris semi
 rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf pdf_icon

RFD10P03L

RFD10P03L, RFD10P03LSM,S E M I C O N D U C T O RRFP10P03L10A, 30V, 0.200, Logic LevelP-Channel Power MOSFETMay 1997Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac-tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti-mum utilization of silicon, result

Другие MOSFET... RF1S640SM , RF1S70N03SM , RF1S70N06SM , RF1S9530SM , RF1S9540SM , RF1S9630SM , RF1S9640SM , RFB18N10CS , IRF730 , RFD10P03LSM , RFD12N06RLE , RFD12N06RLESM , RFD14N05 , RFD14N05L , RFD14N05LSM , RFD14N05SM , RFD14N06L .

History: RJL6013DPP | IXFK26N90 | SMG2310A | AP78T10GP | HYG060N08NS1U | RJK5013DPE | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.