APT94N65B2C6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT94N65B2C6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 833 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 95 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 320 nC
Tiempo de subida (tr): 59 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5451 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT94N65B2C6
APT94N65B2C6 Datasheet (PDF)
apt94n65b2c6 apt94n65lc6.pdf
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History: SRC65R042B
