Справочник MOSFET. APT94N65B2C6

 

APT94N65B2C6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT94N65B2C6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 320 nC
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5451 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для APT94N65B2C6

 

 

APT94N65B2C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  microsemi
 apt94n65b2c6 apt94n65lc6.pdf

APT94N65B2C6 APT94N65B2C6

APT94N65B2C6 APT94N65LC6 650V 94A 0.035APT94N65B2C6Super Junction MOSFET T-MaxTO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT94N65LC6 Extreme dv/dt RatedDGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made withStwo parallel MOSFET die. I

 3.1. Size:145K  microsemi
 apt94n65b2c3g.pdf

APT94N65B2C6 APT94N65B2C6

650V 94A APT94N65B2C3 APT94N65B2C3G**G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. COOLMOSPower Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTM Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated D Extreme dv/dt Rated Dual die (parallel)G Popular T-MAX PackageSUnless stated otherwise, Microsemi di

 7.1. Size:168K  apt
 apt94n60l2c3.pdf

APT94N65B2C6 APT94N65B2C6

APT94N60L2C3600V 94A 0.035Super Junction MOSFETTO-264MaxCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, QgG Avalanche Energy Rated TO-264 Max PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT94N60L2C3 UNITVDSS Drain-Source Voltage60

 7.2. Size:250K  microsemi
 apt94n60l2c3g.pdf

APT94N65B2C6 APT94N65B2C6

APT94N60L2C3600V 94A 0.035Super Junction MOSFETTO-264MaxCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, QgD Avalanche Energy Rated TO-264 Max PackageGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made withStwo parallel MOSFET die. It

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top