Справочник MOSFET. APT94N65B2C6

 

APT94N65B2C6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT94N65B2C6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5451 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для APT94N65B2C6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT94N65B2C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  microsemi
apt94n65b2c6 apt94n65lc6.pdfpdf_icon

APT94N65B2C6

APT94N65B2C6 APT94N65LC6 650V 94A 0.035APT94N65B2C6Super Junction MOSFET T-MaxTO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT94N65LC6 Extreme dv/dt RatedDGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made withStwo parallel MOSFET die. I

 3.1. Size:145K  microsemi
apt94n65b2c3g.pdfpdf_icon

APT94N65B2C6

650V 94A APT94N65B2C3 APT94N65B2C3G**G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. COOLMOSPower Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTM Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated D Extreme dv/dt Rated Dual die (parallel)G Popular T-MAX PackageSUnless stated otherwise, Microsemi di

 7.1. Size:168K  apt
apt94n60l2c3.pdfpdf_icon

APT94N65B2C6

APT94N60L2C3600V 94A 0.035Super Junction MOSFETTO-264MaxCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, QgG Avalanche Energy Rated TO-264 Max PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT94N60L2C3 UNITVDSS Drain-Source Voltage60

 7.2. Size:250K  microsemi
apt94n60l2c3g.pdfpdf_icon

APT94N65B2C6

APT94N60L2C3600V 94A 0.035Super Junction MOSFETTO-264MaxCOOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, QgD Avalanche Energy Rated TO-264 Max PackageGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made withStwo parallel MOSFET die. It

Другие MOSFET... APT902R4BN , APT902RBN , APT904R2AN , APT904R2BN , APT904RAN , APT904RBN , APT94N60L2C3G , APT94N65B2C3G , 10N65 , APT94N65LC6 , APT97N65B2C6 , APT97N65LC6 , APT9F100B , APT9F100S , APT9M100B , APT9M100S , APTC60AM18SCG .

History: BSC016N04LSG | CET04N10 | 2SK771 | TPCA8120 | RJK0380DPA | UF9640 | PT542BA

 

 
Back to Top

 


 
.