APT94N65B2C6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT94N65B2C6  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5451 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT94N65B2C6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT94N65B2C6 даташит

 ..1. Size:159K  microsemi
 apt94n65b2c6 apt94n65lc6.pdf pdf_icon

APT94N65B2C6

APT94N65B2C6 APT94N65LC6 650V 94A 0.035 APT94N65B2C6 Super Junction MOSFET T-Max TO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT94N65LC6 Extreme dv/dt Rated D G Unless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with S two parallel MOSFET die. I

 3.1. Size:145K  microsemi
 apt94n65b2c3g.pdf pdf_icon

APT94N65B2C6

650V 94A APT94N65B2C3 APT94N65B2C3G* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. COOLMOS Power Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTM Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated D Extreme dv/dt Rated Dual die (parallel) G Popular T-MAX Package S Unless stated otherwise, Microsemi di

 7.1. Size:168K  apt
 apt94n60l2c3.pdf pdf_icon

APT94N65B2C6

APT94N60L2C3 600V 94A 0.035 Super Junction MOSFET TO-264 Max COOLMOS Power Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance D Ultra Low Gate Charge, Qg G Avalanche Energy Rated TO-264 Max Package S MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT94N60L2C3 UNIT VDSS Drain-Source Voltage 60

 7.2. Size:250K  microsemi
 apt94n60l2c3g.pdf pdf_icon

APT94N65B2C6

APT94N60L2C3 600V 94A 0.035 Super Junction MOSFET TO-264 Max COOLMOS Power Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg D Avalanche Energy Rated TO-264 Max Package G Unless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with S two parallel MOSFET die. It

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT902R4BN, APT902RBN, APT904R2AN, APT904R2BN, APT904RAN, APT904RBN, APT94N60L2C3G, APT94N65B2C3G, IRFP250, APT94N65LC6, APT97N65B2C6, APT97N65LC6, APT9F100B, APT9F100S, APT9M100B, APT9M100S, APTC60AM18SCG