APT97N65LC6 Todos los transistores

 

APT97N65LC6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT97N65LC6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 862 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 97 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5045 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-264
 

 Búsqueda de reemplazo de APT97N65LC6 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

APT97N65LC6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  microsemi
 apt97n65b2c6 apt97n65lc6.pdf pdf_icon

APT97N65LC6

APT97N65B2C6 APT97N65LC6 650V 97A 0.041APT97N65B2C6COOLMOSPower Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT97N65LC6 Extreme dv/dt RatedDGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with

Otros transistores... APT904R2BN , APT904RAN , APT904RBN , APT94N60L2C3G , APT94N65B2C3G , APT94N65B2C6 , APT94N65LC6 , APT97N65B2C6 , 5N65 , APT9F100B , APT9F100S , APT9M100B , APT9M100S , APTC60AM18SCG , APTC60AM24SCTG , APTC60AM35SCTG , APTC60DAM18CTG .

History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
Back to Top

 


 
.