APT97N65LC6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT97N65LC6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 862 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 97 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 300 nC
Tiempo de subida (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5045 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-264
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APT97N65LC6 Datasheet (PDF)
..1. Size:144K microsemi
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APT97N65B2C6 APT97N65LC6 650V 97A 0.041APT97N65B2C6COOLMOSPower Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT97N65LC6 Extreme dv/dt RatedDGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with
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