APT97N65LC6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT97N65LC6  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 862 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 97 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5045 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: TO-264

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APT97N65LC6 datasheet

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APT97N65LC6

APT97N65B2C6 APT97N65LC6 650V 97A 0.041 APT97N65B2C6 COOLMOS Power Semiconductors Super Junction MOSFET T-Max TO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT97N65LC6 Extreme dv/dt Rated D G Unless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with

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