APT97N65LC6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT97N65LC6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 862 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 97 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 300 nC
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 5045 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.041 Ohm
Тип корпуса: TO-264
Аналог (замена) для APT97N65LC6
APT97N65LC6 Datasheet (PDF)
..1. Size:144K microsemi
apt97n65b2c6 apt97n65lc6.pdf
apt97n65b2c6 apt97n65lc6.pdf
APT97N65B2C6 APT97N65LC6 650V 97A 0.041APT97N65B2C6COOLMOSPower Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT97N65LC6 Extreme dv/dt RatedDGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
