APT97N65LC6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APT97N65LC6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 862 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5045 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
Тип корпуса: TO-264
Аналог (замена) для APT97N65LC6
APT97N65LC6 Datasheet (PDF)
apt97n65b2c6 apt97n65lc6.pdf

APT97N65B2C6 APT97N65LC6 650V 97A 0.041APT97N65B2C6COOLMOSPower Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT97N65LC6 Extreme dv/dt RatedDGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with
Другие MOSFET... APT904R2BN , APT904RAN , APT904RBN , APT94N60L2C3G , APT94N65B2C3G , APT94N65B2C6 , APT94N65LC6 , APT97N65B2C6 , AO3401 , APT9F100B , APT9F100S , APT9M100B , APT9M100S , APTC60AM18SCG , APTC60AM24SCTG , APTC60AM35SCTG , APTC60DAM18CTG .
History: RD60HUF1 | ELM17401FA | APTC60DAM24CT1G | STB55NF03L | DMT10H015LPS | CEB04N6
History: RD60HUF1 | ELM17401FA | APTC60DAM24CT1G | STB55NF03L | DMT10H015LPS | CEB04N6



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor