APT9F100B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT9F100B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 337 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 219 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT9F100B
APT9F100B Datasheet (PDF)
apt9f100b apt9f100s.pdf
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APT9F100B APT9F100S 1000V, 9A, 1.6 Max, trr 200nsN-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power D3PAKMOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been opti-mized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low
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