APT9F100B Todos los transistores

 

APT9F100B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT9F100B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 337 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 219 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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APT9F100B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  microsemi
 apt9f100b apt9f100s.pdf pdf_icon

APT9F100B

APT9F100B APT9F100S 1000V, 9A, 1.6 Max, trr 200nsN-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power D3PAKMOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been opti-mized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low

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History: UPA1857GR | SVF4N65CAK | 2SK3340W | AONS66607 | STB45NF06 | LSGH10R085W3 | AP4415GM

 

 
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