APT9F100B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT9F100B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 337 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 219 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT9F100B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT9F100B даташит

 ..1. Size:216K  microsemi
 apt9f100b apt9f100s.pdf pdf_icon

APT9F100B

APT9F100B APT9F100S 1000V, 9A, 1.6 Max, trr 200ns N-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power D3PAK MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been opti- mized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low

Другие IGBT... APT904RAN, APT904RBN, APT94N60L2C3G, APT94N65B2C3G, APT94N65B2C6, APT94N65LC6, APT97N65B2C6, APT97N65LC6, IRF2807, APT9F100S, APT9M100B, APT9M100S, APTC60AM18SCG, APTC60AM24SCTG, APTC60AM35SCTG, APTC60DAM18CTG, APTC60DAM24CT1G