Справочник MOSFET. APT9F100B

 

APT9F100B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT9F100B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 337 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 219 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для APT9F100B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT9F100B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  microsemi
 apt9f100b apt9f100s.pdf pdf_icon

APT9F100B

APT9F100B APT9F100S 1000V, 9A, 1.6 Max, trr 200nsN-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power D3PAKMOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been opti-mized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low

Другие MOSFET... APT904RAN , APT904RBN , APT94N60L2C3G , APT94N65B2C3G , APT94N65B2C6 , APT94N65LC6 , APT97N65B2C6 , APT97N65LC6 , STP80NF70 , APT9F100S , APT9M100B , APT9M100S , APTC60AM18SCG , APTC60AM24SCTG , APTC60AM35SCTG , APTC60DAM18CTG , APTC60DAM24CT1G .

History: SFB050N135C3 | AON6973A | GT060N10T | IRLU3915PBF | HM3710K | HYG020N04NA1B | HY5608A

 

 
Back to Top

 


 
.