APT9M100B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT9M100B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 335 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-247

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APT9M100B datasheet

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APT9M100B

APT9M100B APT9M100S 1000V, 9A, 1.40 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAK A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of

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