APT9M100B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT9M100B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 335 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
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APT9M100B Datasheet (PDF)
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APT9M100B APT9M100S 1000V, 9A, 1.40 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAKA proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of
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