Справочник MOSFET. APT9M100B

 

APT9M100B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT9M100B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для APT9M100B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT9M100B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  microsemi
 apt9m100b apt9m100s.pdf pdf_icon

APT9M100B

APT9M100B APT9M100S 1000V, 9A, 1.40 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAKA proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of

Другие MOSFET... APT94N60L2C3G , APT94N65B2C3G , APT94N65B2C6 , APT94N65LC6 , APT97N65B2C6 , APT97N65LC6 , APT9F100B , APT9F100S , SKD502T , APT9M100S , APTC60AM18SCG , APTC60AM24SCTG , APTC60AM35SCTG , APTC60DAM18CTG , APTC60DAM24CT1G , APTC60DDAM45CT1G , APTC60DDAM70CT1G .

History: HTD1K5N10 | DMN21D2UFB | IXTT28N50Q | APT901R3BN | SL2301S | KQB2N30 | IRHMJ57160

 

 
Back to Top

 


 
.