APT9M100S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT9M100S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 335 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: D3PAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de APT9M100S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

APT9M100S datasheet

 ..1. Size:209K  microsemi
 apt9m100b apt9m100s.pdf pdf_icon

APT9M100S

APT9M100B APT9M100S 1000V, 9A, 1.40 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAK A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of

Otros transistores... APT94N65B2C3G, APT94N65B2C6, APT94N65LC6, APT97N65B2C6, APT97N65LC6, APT9F100B, APT9F100S, APT9M100B, STF13NM60N, APTC60AM18SCG, APTC60AM24SCTG, APTC60AM35SCTG, APTC60DAM18CTG, APTC60DAM24CT1G, APTC60DDAM45CT1G, APTC60DDAM70CT1G, APTC60HM45SCTG