APT9M100S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT9M100S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: D3PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT9M100S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT9M100S даташит

 ..1. Size:209K  microsemi
 apt9m100b apt9m100s.pdf pdf_icon

APT9M100S

APT9M100B APT9M100S 1000V, 9A, 1.40 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAK A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of

Другие IGBT... APT94N65B2C3G, APT94N65B2C6, APT94N65LC6, APT97N65B2C6, APT97N65LC6, APT9F100B, APT9F100S, APT9M100B, STF13NM60N, APTC60AM18SCG, APTC60AM24SCTG, APTC60AM35SCTG, APTC60DAM18CTG, APTC60DAM24CT1G, APTC60DDAM45CT1G, APTC60DDAM70CT1G, APTC60HM45SCTG