7N10G-AA3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 7N10G-AA3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 5.8 nC
Tiempo de subida (tr): 24 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
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7N10G-AA3 Datasheet (PDF)
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7n10l 7n10g.pdf
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N10 Power MOSFET 7A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N10 is an N-Channel enhancement mode power MOSFET, providing customers with excellent switching performanceand minimum on-state resistance. The UTC 7N10 uses planar stripeand DMOS technology to provide perfect quality. This device can also withstand high energy pulse in the
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