7N10G-AA3 - описание и поиск аналогов

 

7N10G-AA3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 7N10G-AA3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для 7N10G-AA3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7N10G-AA3 даташит

 9.1. Size:220K  utc
 7n10l 7n10g.pdf pdf_icon

7N10G-AA3

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N10 Power MOSFET 7A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N10 is an N-Channel enhancement mode power MOSFET, providing customers with excellent switching performance and minimum on-state resistance. The UTC 7N10 uses planar stripe and DMOS technology to provide perfect quality. This device can also withstand high energy pulse in the

Другие MOSFET... APTM50AM38SCTG , APTM50DAM38CTG , APTM50HM75SCTG , ATP304 , ATP401 , 2N5670 , 2SK2255-01MR , 7N10L-AA3 , IRF740 , 7N10L-TN3 , 7N10G-TN3 , AO4466L , AOD4144 , CS60N06C4 , EMB20P03V , FTW20N50A , HY1506P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.