7N10G-TN3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 7N10G-TN3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 24 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 7N10G-TN3

7N10G-TN3 Datasheet (PDF)

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7n10l 7n10g.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N10 Power MOSFET 7A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N10 is an N-Channel enhancement mode power MOSFET, providing customers with excellent switching performanceand minimum on-state resistance. The UTC 7N10 uses planar stripeand DMOS technology to provide perfect quality. This device can also withstand high energy pulse in the

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