7N10G-TN3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 7N10G-TN3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 7N10G-TN3

7N10G-TN3 Datasheet (PDF)

9.1. Size:220K utc
7n10l 7n10g.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N10 Power MOSFET 7A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N10 is an N-Channel enhancement mode power MOSFET, providing customers with excellent switching performanceand minimum on-state resistance. The UTC 7N10 uses planar stripeand DMOS technology to provide perfect quality. This device can also withstand high energy pulse in the

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Liste

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