Справочник MOSFET. 7N10G-TN3

 

7N10G-TN3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 7N10G-TN3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для 7N10G-TN3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7N10G-TN3 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:220K  utc
 7n10l 7n10g.pdf pdf_icon

7N10G-TN3

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N10 Power MOSFET 7A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N10 is an N-Channel enhancement mode power MOSFET, providing customers with excellent switching performanceand minimum on-state resistance. The UTC 7N10 uses planar stripeand DMOS technology to provide perfect quality. This device can also withstand high energy pulse in the

Другие MOSFET... APTM50HM75SCTG , ATP304 , ATP401 , 2N5670 , 2SK2255-01MR , 7N10L-AA3 , 7N10G-AA3 , 7N10L-TN3 , 20N60 , AO4466L , AOD4144 , CS60N06C4 , EMB20P03V , FTW20N50A , HY1506P , HY1506I , HY1506B .

 

 
Back to Top

 


 
.