FTW20N50A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTW20N50A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Encapsulados: TO3PN
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FTW20N50A datasheet
ftw20n50a.pdf
FTW20N50A General Description VDSS 500 V FTW20N50A, the silicon N-channel Enhanced ID 20 A PD (TC=25 ) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON) 0.26 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor TO 3P(N) can be used in various power switching circuit for system miniaturiz
Otros transistores... 7N10L-AA3 , 7N10G-AA3 , 7N10L-TN3 , 7N10G-TN3 , AO4466L , AOD4144 , CS60N06C4 , EMB20P03V , IRFZ44 , HY1506P , HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL .
History: SSM3J356R | EMB20P03V | AP09N20J | NTD4963N | AP85T03GJ-HF | HY1506B
History: SSM3J356R | EMB20P03V | AP09N20J | NTD4963N | AP85T03GJ-HF | HY1506B
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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