Справочник MOSFET. FTW20N50A

 

FTW20N50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FTW20N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для FTW20N50A

 

 

FTW20N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  inpower semi
 ftw20n50a.pdf

FTW20N50A FTW20N50A

FTW20N50AGeneral Description VDSS 500 VFTW20N50A, the silicon N-channel EnhancedID 20 APD (TC=25 ) 230 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON) 0.26 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor TO3P(N) can be used in various power switching circuit for system miniaturiz

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top