Справочник MOSFET. FTW20N50A

 

FTW20N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTW20N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FTW20N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTW20N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  inpower semi
 ftw20n50a.pdf pdf_icon

FTW20N50A

FTW20N50AGeneral Description VDSS 500 VFTW20N50A, the silicon N-channel EnhancedID 20 APD (TC=25 ) 230 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON) 0.26 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor TO3P(N) can be used in various power switching circuit for system miniaturiz

Другие MOSFET... 7N10L-AA3 , 7N10G-AA3 , 7N10L-TN3 , 7N10G-TN3 , AO4466L , AOD4144 , CS60N06C4 , EMB20P03V , IRFZ44 , HY1506P , HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL .

History: AONR32340C | RU18N65P | IPP70N12S3-11 | SQ1922EEH | ISF40NF20 | AUIRLU024N | NTMFS6H818NL

 

 
Back to Top

 


 
.