ME04N25G Todos los transistores

 

ME04N25G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME04N25G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME04N25G Datasheet (PDF)

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ME04N25G

ME04N25/ME04N25-G N-Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.8@VGS=10V The ME04N25 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.0@VGS=5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

 7.2. Size:574K  matsuki electric
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ME04N25G

ME04N25/ME04N25-G N-Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.8@VGS=10V The ME04N25 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.0@VGS=5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

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History: 4N65KG-T60-K | IRFR120TR | MRF5003 | AONS36316 | STP5N62K3 | RQK0608BQDQS

 

 
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