Справочник MOSFET. ME04N25G

 

ME04N25G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME04N25G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ME04N25G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME04N25G Datasheet (PDF)

 7.1. Size:480K  matsuki electric
 me04n25.pdf pdf_icon

ME04N25G

ME04N25/ME04N25-G N-Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.8@VGS=10V The ME04N25 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.0@VGS=5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

 7.2. Size:574K  matsuki electric
 me04n25 me04n25-g.pdf pdf_icon

ME04N25G

ME04N25/ME04N25-G N-Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.8@VGS=10V The ME04N25 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.0@VGS=5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... CS60N06C4 , EMB20P03V , FTW20N50A , HY1506P , HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , 10N60 , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 , RCJ050N25 .

History: RHK005N03 | IRLI620GPBF | WMN25N65EM | IRF7480MTRPBF | SIS427EDN | STP2305

 

 
Back to Top

 


 
.