SiS412DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SiS412DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SiS412DN

SiS412DN Datasheet (PDF)

..1. Size:531K vishay
sis412dn.pdf

New ProductSiS412DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.024 at VGS = 10 V 12 100 % Rg Tested30 3.8 nC0.030 at VGS = 4.5 V 12APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Notebook PC- System Power- Load SwitchSD3.30 mm

9.1. Size:570K vishay
sis414dn.pdf

New ProductSiS414DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.016 at VGS = 4.5 V 20 TrenchFET Power MOSFET30 8.2 nC0.020 at VGS = 2.5 V 20 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

9.2. Size:534K vishay
sis413dn.pdf

SiS413DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization:0.0094 at VGS = - 10 V - 18d- 30 35.4 nC For definitions of compliance please see0.0132 at VGS = - 4.5 V - 18dwww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPLICATIONS

9.3. Size:526K vishay
sis410dn.pdf

SiS410DNVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.0048 at VGS = 10 V 3520 12.7 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0063 at VGS = 4.5 V 35 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICATIONS DC

9.4. Size:537K vishay
sis410n.pdf

SiS410DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg TestedCOMPLIANT 20 12.7 nC 100 % UIS Tested0.0063 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 DC/DC Converter- NotebookS - POL3.30 mm 3.30 m

9.5. Size:156K vishay
sis415dnt.pdf

SiS415DNTVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thin 0.8 mm max. height0.0040 at VGS = - 10 V 100 % Rg and UIS Tested- 35a Material categorization:0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20- 35a 55.5 nCFor definitions of compliance please see 0.0095

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: