SiS412DN - описание и поиск аналогов

 

SiS412DN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SiS412DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

Аналог (замена) для SiS412DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SiS412DN даташит

 ..1. Size:531K  vishay
sis412dn.pdfpdf_icon

SiS412DN

New Product SiS412DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = 10 V 12 100 % Rg Tested 30 3.8 nC 0.030 at VGS = 4.5 V 12 APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Notebook PC - System Power - Load Switch S D 3.30 mm

 9.1. Size:570K  vishay
sis414dn.pdfpdf_icon

SiS412DN

New Product SiS414DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.016 at VGS = 4.5 V 20 TrenchFET Power MOSFET 30 8.2 nC 0.020 at VGS = 2.5 V 20 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

 9.2. Size:534K  vishay
sis413dn.pdfpdf_icon

SiS412DN

SiS413DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization 0.0094 at VGS = - 10 V - 18d - 30 35.4 nC For definitions of compliance please see 0.0132 at VGS = - 4.5 V - 18d www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS

 9.3. Size:526K  vishay
sis410dn.pdfpdf_icon

SiS412DN

SiS410DN Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0048 at VGS = 10 V 35 20 12.7 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0063 at VGS = 4.5 V 35 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS DC

Другие MOSFET... EMB20P03V , FTW20N50A , HY1506P , HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , AO3400 , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 .

History: IXFK60N55Q2 | IPP052NE7N3 | WMP80R1K0S | WMN80R1K5S | WMM80R1K0S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.