RCD051N20 Todos los transistores

 

RCD051N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCD051N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.76 Ohm

Encapsulados: SC-63

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RCD051N20 datasheet

 ..1. Size:364K  rohm
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RCD051N20

RCD051N20 Nch 200V 5.0A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 200V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 760mW (3) ID 5.0A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100%

 9.1. Size:1161K  rohm
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RCD051N20

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCD050N20 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 0.75 3) Wide range of SOA. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.5 1.0 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging spe

Otros transistores... HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , 10N60 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 .

History: NTLGD3502N | IXFB40N110P | IXFA10N60P | TPCS8209

 

 

 

 

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