RCD051N20 Todos los transistores

 

RCD051N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCD051N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.76 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-63
 

 Búsqueda de reemplazo de RCD051N20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RCD051N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  rohm
 rcd051n20.pdf pdf_icon

RCD051N20

RCD051N20 Nch 200V 5.0A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS200V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)760mW(3) ID5.0A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100%

 9.1. Size:1161K  rohm
 rcd050n20.pdf pdf_icon

RCD051N20

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCD050N20 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.650.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.51.05) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging spe

Otros transistores... HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , 10N60 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 .

History: SM1A16PSU | SMP40N10 | SWI30N06 | AUIRF7319Q | 2SK1829 | AO4456

 

 
Back to Top

 


 
.