RCD051N20 - описание и поиск аналогов

 

RCD051N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCD051N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.76 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RCD051N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCD051N20 даташит

 ..1. Size:364K  rohm
 rcd051n20.pdf pdf_icon

RCD051N20

RCD051N20 Nch 200V 5.0A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 200V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 760mW (3) ID 5.0A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100%

 9.1. Size:1161K  rohm
 rcd050n20.pdf pdf_icon

RCD051N20

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCD050N20 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 0.75 3) Wide range of SOA. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.5 1.0 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging spe

Другие MOSFET... HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , 10N60 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 .

History: SSI2N60A | IPP072N10N3 | APTM100A23SCTG | CJL2013 | IRFS244B | IRF3000 | AP4423GM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.