RCD100N19 Todos los transistores

 

RCD100N19 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCD100N19

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 190 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.182 Ohm

Encapsulados: SC-63

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RCD100N19 datasheet

 ..1. Size:361K  rohm
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RCD100N19

RCD100N19 Nch 190V 10A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 190V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 182mW (3) ID 10A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive (4V drive). (1) Gate 2) Low on-resistance. (2) Drain (3) Source 3) Fast switching speed. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plat

 7.1. Size:1162K  rohm
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RCD100N19

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCD100N20 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 0.75 3) Wide range of SOA. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.5 1.0 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging spe

Otros transistores... ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL , 2N7000 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 .

History: BLV730 | MSJU11N65

 

 

 

 

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