Справочник MOSFET. RCD100N19

 

RCD100N19 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCD100N19
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.182 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RCD100N19 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  rohm
 rcd100n19.pdf pdf_icon

RCD100N19

RCD100N19 Nch 190V 10A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS190VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)182mW(3) ID10A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive (4V drive).(1) Gate 2) Low on-resistance.(2) Drain (3) Source 3) Fast switching speed.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead plat

 7.1. Size:1162K  rohm
 rcd100n20.pdf pdf_icon

RCD100N19

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCD100N20 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.650.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.51.05) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging spe

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK1957 | NTD15N06L-001 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | STB200NF04L | KF2N60L | EKI07174

 

 
Back to Top

 


 
.