RCD100N19 - описание и поиск аналогов

 

RCD100N19. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCD100N19

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 190 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.182 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RCD100N19

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCD100N19 даташит

 ..1. Size:361K  rohm
 rcd100n19.pdf pdf_icon

RCD100N19

RCD100N19 Nch 190V 10A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 190V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 182mW (3) ID 10A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive (4V drive). (1) Gate 2) Low on-resistance. (2) Drain (3) Source 3) Fast switching speed. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plat

 7.1. Size:1162K  rohm
 rcd100n20.pdf pdf_icon

RCD100N19

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCD100N20 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 0.75 3) Wide range of SOA. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.5 1.0 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging spe

Другие MOSFET... ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL , 2N7000 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 .

History: WM02N50M | TK4R3A06PL | BLV108

 

 

 

 

↑ Back to Top
.