RCJ050N25 Todos los transistores

 

RCJ050N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCJ050N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.36 Ohm

Encapsulados: SC-83

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RCJ050N25 datasheet

 ..1. Size:422K  rohm
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RCJ050N25

RCJ050N25 Nch 250V 5.0A Power MOSFET Datasheet lOutline (2) VDSS 250V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 1360mW ID 5.0A (1) PD 30W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCJ050N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ050N25 FEATURES Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.36 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 , P55NF06 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 .

History: H04N65E

 

 

 

 

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