RCJ050N25 - описание и поиск аналогов

 

RCJ050N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCJ050N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.36 Ohm

Тип корпуса: SC-83

Аналог (замена) для RCJ050N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ050N25 даташит

 ..1. Size:422K  rohm
 rcj050n25.pdf pdf_icon

RCJ050N25

RCJ050N25 Nch 250V 5.0A Power MOSFET Datasheet lOutline (2) VDSS 250V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 1360mW ID 5.0A (1) PD 30W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj050n25.pdf pdf_icon

RCJ050N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ050N25 FEATURES Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.36 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие MOSFET... ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 , P55NF06 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 .

History: MDP18N50TH | IXFA102N15T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.