Справочник MOSFET. RCJ050N25

 

RCJ050N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCJ050N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.36 Ohm
   Тип корпуса: SC-83
 

 Аналог (замена) для RCJ050N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ050N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  rohm
 rcj050n25.pdf pdf_icon

RCJ050N25

RCJ050N25 Nch 250V 5.0A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS250VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)1360mWID5.0A(1) PD30W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj050n25.pdf pdf_icon

RCJ050N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ050N25FEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.36(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 , IRFB4115 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 .

History: IRFHM792PBF | SRT08N100LD

 

 
Back to Top

 


 
.