RCJ510N25 Todos los transistores

 

RCJ510N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCJ510N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-83
 

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RCJ510N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  rohm
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RCJ510N25

RCJ510N25 Nch 250V 51A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS250VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)65mWID51A(1) (2) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche test

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCJ510N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ510N25FEATURESDrain Current I = 51A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

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History: APT30M61BFLL | IRFR5410TR | NTBLS0D7N06C | NVD6416AN | ME110N10T | CS6N90A8H | VBM1638

 

 
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