Справочник MOSFET. RCJ510N25

 

RCJ510N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCJ510N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SC-83
 

 Аналог (замена) для RCJ510N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ510N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  rohm
 rcj510n25.pdf pdf_icon

RCJ510N25

RCJ510N25 Nch 250V 51A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS250VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)65mWID51A(1) (2) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche test

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj510n25.pdf pdf_icon

RCJ510N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ510N25FEATURESDrain Current I = 51A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , IRF1010E , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 .

History: SFG10R140DF | WMO15N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.