RCJ510N25 - описание и поиск аналогов

 

RCJ510N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCJ510N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SC-83

Аналог (замена) для RCJ510N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ510N25 даташит

 ..1. Size:436K  rohm
 rcj510n25.pdf pdf_icon

RCJ510N25

RCJ510N25 Nch 250V 51A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 250V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 65mW ID 51A (1) (2) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche test

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj510n25.pdf pdf_icon

RCJ510N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ510N25 FEATURES Drain Current I = 51A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 65m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие MOSFET... RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , IRF9540N , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.