Справочник MOSFET. RCJ510N25

 

RCJ510N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCJ510N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SC-83
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ510N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  rohm
 rcj510n25.pdf pdf_icon

RCJ510N25

RCJ510N25 Nch 250V 51A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS250VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)65mWID51A(1) (2) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche test

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj510n25.pdf pdf_icon

RCJ510N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ510N25FEATURESDrain Current I = 51A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFU4615P | MSK7N80T | 2SK417 | R6515ENX | 2SK3080 | TPC65R260M | BRCS100N06BD

 

 
Back to Top

 


 
.