RCJ700N20 Todos los transistores

 

RCJ700N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCJ700N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 340 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0427 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-83
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RCJ700N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  rohm
 rcj700n20.pdf pdf_icon

RCJ700N20

RCJ700N20 Nch 200V 70A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS200VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)42.7mWID70A(1) (2) PD40W (3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.(1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche tes

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 rcj700n20.pdf pdf_icon

RCJ700N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ700N20FEATURESDrain Current I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 87m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Otros transistores... RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , IRF4905 , RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 .

 

 
Back to Top

 


 
.