Справочник MOSFET. RCJ700N20

 

RCJ700N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCJ700N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0427 Ohm
   Тип корпуса: SC-83
 

 Аналог (замена) для RCJ700N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ700N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  rohm
 rcj700n20.pdf pdf_icon

RCJ700N20

RCJ700N20 Nch 200V 70A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS200VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)42.7mWID70A(1) (2) PD40W (3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.(1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche tes

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 rcj700n20.pdf pdf_icon

RCJ700N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ700N20FEATURESDrain Current I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 87m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , IRF4905 , RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 .

 

 
Back to Top

 


 
.